高導熱碳化硅陶瓷的需求量急劇增長[ 03-02 09:19 ]

碳化硅作為一種重要的結構陶瓷材料，憑借其優(yōu)異的高溫力學強度、高硬度、高彈性模量、高耐磨性、高導熱性、耐腐蝕性等性能，不僅應用于高溫窯具、燃燒噴嘴、熱交換器、密封環(huán)、滑動軸承等傳統(tǒng)工業(yè)領域，還可作為防彈裝甲材料、空間反射鏡、半導體晶圓制備中夾具材料及核燃料包殼材料。 隨著科技的不斷發(fā)展，碳化硅陶瓷在半導體領域的應用需求量急劇增長，而高熱導率是其應用于半導體制造設備元器件的關鍵指標，因此加強高導熱碳化硅陶瓷的研究至關重要。減少晶格氧含量、提高致密性、合理調(diào)控第二相在晶格中的分布方式是提高碳化硅陶瓷熱導率的主要方法

碳化硅技術在家電行業(yè)的應用[ 02-26 13:37 ]

回溯半導體技術的發(fā)展歷程，大致分為3個時代。第一代半導體材料主要是硅和鍺，上世紀60年代之后，硅基半導體逐漸成為主流，直到現(xiàn)在依然是應用最為廣泛的半導體材料，全球95%以上的芯片是以硅片為基礎材料制成的。第二代半導體材料的代表是砷化鎵，可以制造更高頻、高速的集成電路，但是以目前的需求來看，砷化鎵材料的禁帶寬度依然較小。第三代半導體材料是以碳化硅、氮化鎵為代表的材料，可以制備耐高壓、高頻的功率器件。這些材料中，碳化硅是綜合性能最好、商品化程度最高、技術最成熟的第三代半導體材料，目前已經(jīng)在5G通信、PD快充、新能源汽車

碳化硅功率模塊的應用[ 02-21 12:18 ]

碳化硅模塊是支撐各種工業(yè)應用的關鍵技術之一，相比傳統(tǒng)硅基IGBT功率模塊具有更高功率密度、更高可靠性、更高工作結溫、更低寄生電感、更低熱阻等特性。在需要提升系統(tǒng)功率密度、使用更高主開關頻率的尖端電力電子設備的性能升級過程中，現(xiàn)有硅基IGBT配合硅基FRD（快恢復二極管）的性能已無法完全滿足要求，需要高性能與性價比兼具的主開關器件。 隨著SiC技術的日趨成熟和商業(yè)化應用，其獨特的耐高溫性能不斷加速推動結溫從150℃邁向175℃，甚至已出現(xiàn)了200℃的產(chǎn)品。借助于這種獨特的高溫特性和低開關損耗優(yōu)勢，可以為未來的高

燒結溫度對SiC多孔陶瓷性能的影響[ 02-20 08:36 ]

(1)XRD分析表明，隨著燒結溫度的升高，SiO2的特征衍射峰強度逐漸升高，在1690℃時SiO2的特征衍射峰強度最高，這是因為燒結溫度較高導致了SiC表面發(fā)生了氧化反應，形成了致密的氧化膜，包覆了SiC。 (2)氣孔率測試發(fā)現(xiàn)，隨著燒結溫度的升高，SiC多孔陶瓷的氣孔率呈現(xiàn)出先降低后增加的趨勢，在1660℃時氣孔率最低為32.1％。 (3)分析發(fā)現(xiàn)，在1600和1630℃下燒結的SiC多孔陶瓷中的小顆粒較多，且SiC多孔陶瓷的顆粒較為分散；隨著燒結溫度的升高，小顆粒相逐漸減少，斷面出現(xiàn)了較多的氣孔，且

碳化硅單晶制備技術的難點[ 02-15 10:16 ]

碳化硅單晶制備技術包括PVT法（物理氣相傳輸法）、溶液法和高溫氣相化學沉積法等，目前商用碳化硅單晶生長均采用PVT法。PVT法制備碳化硅單晶的難度在于： ①碳化硅單晶生長設備設計與制造技術。碳化硅長晶爐是晶體制備的載體，也是晶體生長核心技術中的熱場和工藝的重要組成部分。針對不同尺寸、不同導電性能的碳化硅單晶襯底，碳化硅長晶爐需要實現(xiàn)高真空度、低真空漏率等各項性能指標，為高質(zhì)量晶體生長提供適合的熱場實現(xiàn)條件。 ②碳化硅粉料合成過程中的環(huán)境雜質(zhì)多，難以獲得高純度的粉料；作為反應源的硅粉和碳粉反應不完全易造成