(1)XRD分析表明，隨著燒結溫度的升高，SiO2的特征衍射峰強度逐漸升高，在1690℃時SiO2的特征衍射峰強度最高，這是因為燒結溫度較高導致了SiC表面發(fā)生了氧化反應，形成了致密的氧化膜，包覆了SiC。

(2)氣孔率測試發(fā)現，隨著燒結溫度的升高，SiC多孔陶瓷的氣孔率呈現出先降低后增加的趨勢，在1660℃時氣孔率最低為32.1％。

(3)分析發(fā)現，在1600和1630℃下燒結的SiC多孔陶瓷中的小顆粒較多，且SiC多孔陶瓷的顆粒較為分散；隨著燒結溫度的升高，小顆粒相逐漸減少，斷面出現了較多的氣孔，且部分氣孔尺寸較大，SiC陶瓷整體逐漸收縮緊密；繼續(xù)升高燒結溫度，晶粒逐漸長大，整體的致密性有降低的趨勢。

(4)力學性能分析發(fā)現，隨著燒結溫度的升高，SiC多孔陶瓷的壓縮強度先升高后輕微下降，在1660℃時壓縮強度達到了最大值25.6MPa，相比1600℃，壓縮強度提高了46.9％。

(5)油水分離測試發(fā)現，隨著燒結溫度的升高，SiC多孔陶瓷的膜通量出現了先降低后有略微升高的趨勢，截留率出現了先升高后輕微降低的趨勢。在燒結溫度為1660℃時，膜通量最低為553.8L/(m2·h)，截留率最高為91.5％?？梢姰敓Y溫度為為1660℃時，多孔SiC陶瓷的油污分離以及廢水處理性能最佳。