碳化硅耐磨陶瓷膠粘涂層技術(shù)優(yōu)點(diǎn)[ 06-09 16:47 ]

碳化硅耐磨陶瓷膠粘涂層技術(shù)具有如下優(yōu)點(diǎn)： 1、可現(xiàn)場(chǎng)施工，而且施工方法簡(jiǎn)單，易于造形，厚度可控制，因此適用范圍廣泛。 2、高附著力，涂層可靠性高，使用壽命長(zhǎng)。 3、涂層硬度高，7H左右，致密耐磨，表面光滑，可打磨加工。 4、有多種防護(hù)功效，應(yīng)用范圍相當(dāng)廣泛。既用于各種裝備構(gòu)件的防護(hù)（密封防滲漏，抗磨，防腐，電絕緣），也可用于各種結(jié)構(gòu)件的修理，達(dá)到修舊利廢的目的。 5、涂層有一定的自潤滑功能，摩擦系數(shù)相對(duì)較低，越磨越光滑，耐磨性能良好。 6、涂層本身不燃，具有良好的阻燃功效。

氮化硅/碳化硅復(fù)合陶瓷材料[ 05-17 16:02 ]

氮化硅/碳化硅復(fù)合陶瓷材料是一種特殊的碳化硅制品，20世紀(jì)70年代被廣泛應(yīng)用于磨具磨料以及電陶瓷行業(yè)，上世紀(jì)80年代我國將該材料進(jìn)行引入。 氮化硅和碳化硅的密度相近，當(dāng)柱狀的氮化硅穿插在碳化硅顆粒之間并發(fā)生燒結(jié)，產(chǎn)生的增韌和強(qiáng)化作用遠(yuǎn)遠(yuǎn)優(yōu)于單一材料性能。氮化硅陶瓷的脆性較大，可以與碳化硅材料復(fù)合改善脆性，提升斷裂韌性；而且碳化硅材料的熱穩(wěn)定性與抗氧化能力在與氮化硅復(fù)合之后也能得到改善。 氮化硅/碳化硅復(fù)合陶瓷材料莫氏硬度為9左右，僅次于金剛石；常溫強(qiáng)度高并且在1200-1400℃時(shí)此材料的強(qiáng)度和硬度可以

碳化硅半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈[ 05-13 16:42 ]

碳化硅半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈主要包括“碳化硅高純粉料→單晶襯底→外延片→功率器件→模塊封裝→終端應(yīng)用”等環(huán)節(jié)。 1碳化硅高純粉料 碳化硅高純粉料是采用PVT法生長(zhǎng)碳化硅單晶的原料，其產(chǎn)品純度直接影響碳化硅單晶的生長(zhǎng)質(zhì)量以及電學(xué)性能。 碳化硅粉料有多種合成方式，主要有固相法、液相法和氣相法3種。其中，固相法包括碳熱還原法、自蔓延高溫合成法和機(jī)械粉碎法；液相法包括溶膠-凝膠法和聚合物熱分解法；氣相法包括化學(xué)氣相沉積法、等離子體法和激光誘導(dǎo)

在單晶生長(zhǎng)方面SiC晶體制備的兩個(gè)難點(diǎn)[ 05-08 08:34 ]

與傳統(tǒng)的單晶硅使用提拉法制備不同，目前規(guī)?；L(zhǎng)SiC單晶主要采用物理氣相輸運(yùn)法(PVT)或籽晶的升華法。這也就帶來了SiC晶體制備的兩個(gè)難點(diǎn)： 1、生長(zhǎng)條件苛刻，需要在高溫下進(jìn)行。一般而言，SiC氣相生長(zhǎng)溫度在2300℃以上，壓力350MPa，而硅僅需1600℃左右。高溫對(duì)設(shè)備和工藝控制帶來了極高的要求，生產(chǎn)過程幾乎是黑箱操作難以觀測(cè)。如果溫度和壓力控制稍有失誤，則會(huì)導(dǎo)致生長(zhǎng)數(shù)天的產(chǎn)品失敗。 2、生長(zhǎng)速度慢。PVT法生長(zhǎng)SiC的速度緩慢，7天才能生長(zhǎng)2cm左右。而硅棒拉晶2-3天即可拉出約2m長(zhǎng)的8英

一圖搞懂碳化硅——起源篇[ 05-01 17:21 ]