碳化硅模塊是支撐各種工業(yè)應(yīng)用的關(guān)鍵技術(shù)之一，相比傳統(tǒng)硅基IGBT功率模塊具有更高功率密度、更高可靠性、更高工作結(jié)溫、更低寄生電感、更低熱阻等特性。在需要提升系統(tǒng)功率密度、使用更高主開(kāi)關(guān)頻率的尖端電力電子設(shè)備的性能升級(jí)過(guò)程中，現(xiàn)有硅基IGBT配合硅基FRD（快恢復(fù)二極管）的性能已無(wú)法完全滿足要求，需要高性能與性?xún)r(jià)比兼具的主開(kāi)關(guān)器件。

隨著SiC技術(shù)的日趨成熟和商業(yè)化應(yīng)用，其獨(dú)特的耐高溫性能不斷加速推動(dòng)結(jié)溫從150℃邁向175℃，甚至已出現(xiàn)了200℃的產(chǎn)品。借助于這種獨(dú)特的高溫特性和低開(kāi)關(guān)損耗優(yōu)勢(shì)，可以為未來(lái)的高溫、高功率密度應(yīng)用，如多電和全電飛機(jī)、移動(dòng)儲(chǔ)能充電站以及各種液體冷卻受到嚴(yán)重限制的電力應(yīng)用提供動(dòng)力。

在許多工業(yè)應(yīng)用中，一些機(jī)械動(dòng)作都是采用經(jīng)典的液壓傳動(dòng)，受環(huán)境影響很大且維護(hù)成本很高，目前已趨向于部分或全部采用電氣化（電機(jī)），以實(shí)現(xiàn)可靠性高、高可維護(hù)性，且便于冗余備份設(shè)計(jì)。

另外，在許多應(yīng)用場(chǎng)景中，如半移動(dòng)式儲(chǔ)能充電站和全移動(dòng)式充電寶將有效填補(bǔ)固定式充電站的缺失，特別是隨著電動(dòng)車(chē)的大規(guī)模普及，這一點(diǎn)將表現(xiàn)得更為明顯。然而，對(duì)于這類(lèi)移動(dòng)充電應(yīng)用，水冷機(jī)構(gòu)不僅會(huì)帶來(lái)額外重量和體積負(fù)擔(dān)，更重要的是它會(huì)消耗自身攜帶的存儲(chǔ)電能，因此，采用自然冷卻的電控將是最佳方法，但必須妥善處理好電控系統(tǒng)熱管理的問(wèn)題。

在許多特種工業(yè)應(yīng)用中，當(dāng)液體冷卻受到嚴(yán)重限制時(shí)，電控系統(tǒng)將面臨同樣的高溫挑戰(zhàn)。耐高溫的電控技術(shù)是實(shí)現(xiàn)以上高溫應(yīng)用的關(guān)鍵，天賦異稟的實(shí)現(xiàn)技術(shù)是SiC功率器件的高溫封裝技術(shù)和與之相匹配的高溫驅(qū)動(dòng)電路技術(shù)。