推薦產(chǎn)品
聯(lián)系金蒙新材料
- 不同防彈陶瓷材料性能對(duì)比[ 02-09 08:45 ]
- 自21世紀(jì)以來，防彈陶瓷發(fā)展迅速，種類較多，包括氧化鋁、碳化硅、碳化硼、氮化硅、硼化鈦等，其中以氧化鋁陶瓷(Al2O3)、碳化硅陶瓷(SiC)、碳化硼陶瓷(B4C)應(yīng)用最廣。氧化鋁陶瓷密度最高，但硬度相對(duì)較低，加工門檻較低，價(jià)格較低，依據(jù)純度分為85／90／95／99氧化鋁陶瓷，相應(yīng)的硬度和價(jià)格也依次增高。 碳化硅陶瓷密度相對(duì)較低，硬度較高，屬于性價(jià)比較高的結(jié)構(gòu)陶瓷，因此也是目前國(guó)內(nèi)應(yīng)用最廣的防彈陶瓷。 碳化硼陶瓷在這幾種陶瓷中密度最低，硬度最高，但同時(shí)其對(duì)加工工藝的要求也很高，需要高溫高壓燒結(jié)，因而成
- APEX微技術(shù)推出SA310碳化硅無刷直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)器[ 02-08 10:10 ]
- Q問：在沒有散熱器的情況下，SA310 3相SiC模塊能做什么？ A在空間非常寶貴的情況下，SA310可通過自己的鎳鋼合金外殼排出內(nèi)部功耗產(chǎn)生的熱量。下方的圖來自SA310數(shù)據(jù)表，表明了在沒有散熱器的SA310的運(yùn)行點(diǎn)下，供電電壓、供電電流和開關(guān)頻率的限制。 在供電電壓、供電電流和開關(guān)頻率這三個(gè)參數(shù)中，一個(gè)參數(shù)越高，其他兩個(gè)參數(shù)就必須越低，才能將內(nèi)部功耗保持在安全程度內(nèi)（或者說，才能讓SA310外殼和結(jié)溫保持在數(shù)據(jù)表內(nèi)的最大額定值以下）。該圖直接表明，在SA310沒有散熱器的情況下，供電電流（差
- SiC器件IGBT模塊是否有必要提高結(jié)溫[ 02-06 09:51 ]
- 眾所周知，SiC材料具有許多重要特性：其擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度是硅材料的10倍左右，最高結(jié)溫可達(dá)600℃……因此，SiC器件結(jié)構(gòu)具有天生的耐高溫能力，在真空條件下耐壓甚至可達(dá)400至600℃。SiCMOSFET自身?yè)p耗小，發(fā)熱量小，自身溫升相對(duì)較小。“SiC的導(dǎo)熱率比硅更好，（大約是硅的三倍），熔點(diǎn)更高（2830℃，而硅是1410℃），所以本質(zhì)上SiC的耐受溫度比硅高出很多。”所以，SiC更適合高溫工作環(huán)境。 2010年5月，一家頭部公司稱其新技術(shù)顯著提高了IGBT模
- 鋁碳化硅（AlSiC）材料的性能特性[ 01-23 09:06 ]
- 鋁碳化硅（AlSiC）材料具有以下性能特性： 1）AlSiC具有高導(dǎo)熱率（170～200W/mK）和可調(diào)的熱膨脹系數(shù)（6.5～9.5×10-6/K），可提升器件散熱性能的同時(shí)，其熱膨脹系數(shù)與半導(dǎo)體芯片和陶瓷基片實(shí)現(xiàn)良好的匹配，能夠防止疲勞失效的產(chǎn)生，甚至可以將功率芯片直接安裝到AlSiC基板上； 2）AlSiC是復(fù)合材料，其熱膨脹系數(shù)等性能可通過改變其組成而加以調(diào)整，因此電子產(chǎn)品可按用戶的具體要求而靈活地設(shè)計(jì)，這是傳統(tǒng)的金屬材料或陶瓷材料無法作到的； 3）AlSiC的密度與鋁相當(dāng)，比銅
- 鋁碳化硅AlSiC（SiCp/Al）材料制備方法與工藝的研究[ 01-22 09:11 ]
- AlSiC（SiCp/Al）材料雖然具有優(yōu)異的力學(xué)與物理特性，但是實(shí)現(xiàn)高體積分?jǐn)?shù)SiC的SiCp/Al材料的制備一直是制約該行業(yè)發(fā)展的難題。如何實(shí)現(xiàn)經(jīng)濟(jì)、快速、高品質(zhì)、低次品率的工業(yè)化生產(chǎn)，是SiCp/Al材料行業(yè)發(fā)展的機(jī)遇與挑戰(zhàn)。目前，SiCp/Al材料制備方法與工藝的研究，主要分為粉末冶金、攪拌熔鑄、共噴沉積、無壓滲透與壓力滲透五種。 目前SiCp/Al材料的五種制備方法均已有一定的研究成果，國(guó)外發(fā)展較早，按照地域主要分為美國(guó)、歐洲與日本三大技術(shù)開發(fā)中心，生產(chǎn)的SiCp/Al材料產(chǎn)品廣泛用于飛機(jī)、衛(wèi)星、導(dǎo)
