碳化硅晶片的主要應(yīng)用領(lǐng)域有LED固體照明和高頻率器件。該材料具有高出傳統(tǒng)硅數(shù)倍的禁帶、漂移速度、擊穿電壓、熱導(dǎo)率、耐高溫等優(yōu)良特性，在高溫、高壓、高頻、大功率、光電、抗輻射、微波性等電子應(yīng)用領(lǐng)域和航天、軍工、核能等極端環(huán)境應(yīng)用有著不可替代的優(yōu)勢(shì)。國(guó)內(nèi)獨(dú)家碳化硅單晶供應(yīng)商，在研發(fā)、技術(shù)、市場(chǎng)開發(fā)及商業(yè)運(yùn)作等方面處絕對(duì)領(lǐng)先地位，已成功掌握76mm（3英寸）超大寶石級(jí)SiC2晶體生長(zhǎng)核心技術(shù)工藝，達(dá)到國(guó)際2001年先進(jìn)水平。
中文名 碳化硅晶片
應(yīng)用領(lǐng)域：LED固體照明和高頻率器件
1、概況
在半導(dǎo)體器件的應(yīng)用方面，隨著碳化硅生產(chǎn)成本的降低，碳化硅由于其優(yōu)良的性能而可能取代硅作芯片，打破硅芯片由于材料本身性能的瓶頸，將給電子業(yè)帶來革命性的變革。
碳化硅的主要應(yīng)用領(lǐng)域有LED固體照明和高頻率器件，未來手機(jī)和筆記本電腦的背景光市場(chǎng)將給碳化硅提供巨大的需求增長(zhǎng)。
而由于一些特殊方面的應(yīng)用，國(guó)外碳化硅生產(chǎn)企業(yè)對(duì)中國(guó)進(jìn)行禁運(yùn)，而碳化硅晶體巨大的技術(shù)壁壘又導(dǎo)致中國(guó)國(guó)內(nèi)到目前為止仍沒有企業(yè)能夠生產(chǎn)，因此，國(guó)內(nèi)下游企業(yè)和研究機(jī)構(gòu)都在“等米下鍋”。
全球主要碳化硅晶片制造商美國(guó)Cree公司在NASDAQ上市的Cree公司的碳化硅晶片產(chǎn)量為30萬片，占全球出貨量的85%。是全球碳化硅晶片行業(yè)的先行者，為后續(xù)有自主創(chuàng)新能力的企業(yè)開拓了市場(chǎng)和發(fā)展路徑。
2、市場(chǎng)前景
碳化硅單晶系第三代高溫寬帶隙半導(dǎo)體材料。隨著第三次照明科技革命，市場(chǎng)應(yīng)用前景誘人。該產(chǎn)品的產(chǎn)能、品質(zhì)已接近無色透明寶石級(jí)水平，達(dá)到美國(guó)Cree公司2001年水平，并已能生產(chǎn)藍(lán)、綠、黃色晶體產(chǎn)品標(biāo)志著公司即將在國(guó)內(nèi)首次實(shí)現(xiàn)碳化硅晶體銷售，并開始跨入商業(yè)運(yùn)營(yíng)，成為全球第二家實(shí)現(xiàn)大直徑產(chǎn)品批量供貨商。
碳化硅又稱金鋼砂或耐火砂。碳化硅是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料在電阻爐內(nèi)經(jīng)高溫冶煉而成。目前我國(guó)工業(yè)生產(chǎn)的碳化硅分為黑色碳化硅和綠色碳化硅兩種，均為六方晶體，比重為3.20～3.25，顯微硬度為2840～3320kg/mm2。
碳化硅單晶系第三代高溫寬帶隙半導(dǎo)體材料包括黑碳化硅和綠碳化硅，其中：黑碳化硅是以石英砂,石油焦和優(yōu)質(zhì)硅石為主要原料,通過電阻爐高溫冶煉而成。其硬度介于剛玉和金剛石之間,機(jī)械強(qiáng)度高于剛玉,性脆而鋒利。綠碳化硅是以石油焦和優(yōu)質(zhì)硅石為主要原料,添加食鹽作為添加劑，通過電阻爐高溫冶煉而成。它的硬度介于剛玉和金剛石之間,機(jī)械強(qiáng)度高于剛玉。
性質(zhì)和用途編輯
3、性質(zhì)
碳化硅的硬度很大，具有優(yōu)良的導(dǎo)熱和導(dǎo)電性能，高溫時(shí)能抗氧化。
用途
(1)作為磨料，可用來做磨具，如砂輪、油石、磨頭、砂瓦類等。
(2)作為冶金脫氧劑和耐高溫材料。
碳化硅主要有四大應(yīng)用領(lǐng)域,即: 功能陶瓷、高級(jí)耐火材料、磨料及冶金原料。碳化硅粗料已能大量供應(yīng), 不能算高新技術(shù)產(chǎn)品,而技術(shù)含量極高 的納米級(jí)碳化硅粉體的應(yīng)用短時(shí)間不可能形成規(guī)模經(jīng)濟(jì)。
(3)高純度的單晶，可用于制造半導(dǎo)體、制造碳化硅纖維。
產(chǎn)地、輸往國(guó)別及品質(zhì)規(guī)格
(1)產(chǎn)地：青海、寧夏、河南、四川、貴州等地。
(2)輸往國(guó)別：美國(guó)、日本、韓國(guó)、及某些歐洲國(guó)家。