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PVT碳化硅晶體生長(zhǎng)技術(shù)難點(diǎn)

文章出處:粉體網(wǎng)網(wǎng)責(zé)任編輯:作者:山川人氣:-發(fā)表時(shí)間:2022-03-15 15:42:00【

目前碳化硅單晶的生長(zhǎng)方法主要包括以下三種:液相法、高溫化學(xué)氣相沉積法、物理氣相傳輸法(PVT)。其中PVT法是目前SiC單晶生長(zhǎng)研究最多、最成熟的技術(shù),其技術(shù)難點(diǎn)在于:

(1)碳化硅單晶在2300°C以上高溫的密閉石墨腔室內(nèi)完成“固-氣-固”的轉(zhuǎn)化重結(jié)晶過(guò)程,生長(zhǎng)周期長(zhǎng)、控制難度大,易產(chǎn)生微管、包裹物等缺陷。

(2)碳化硅單晶包括200多種不同晶型,但生產(chǎn)一般僅需一種晶型,生長(zhǎng)過(guò)程中易產(chǎn)生晶型轉(zhuǎn)變?cè)斐啥嘈蛫A雜缺陷,制備過(guò)程中單一特定晶型難以穩(wěn)定控制,例如目前主流的4H型。

(3)碳化硅單晶生長(zhǎng)熱場(chǎng)存在溫度梯度,導(dǎo)致晶體生長(zhǎng)過(guò)程中存在原生內(nèi)應(yīng)力及由此誘生的位錯(cuò)、層錯(cuò)等缺陷。

(4)碳化硅單晶生長(zhǎng)過(guò)程中需要嚴(yán)格控制外部雜質(zhì)的引入,從而獲得極高純度的半絕緣晶體或定向摻雜的導(dǎo)電型晶體。對(duì)于射頻器件使用的半絕緣碳化硅襯底,電學(xué)性能需要通過(guò)控制晶體中極低的雜質(zhì)濃度及特定種類的點(diǎn)缺陷來(lái)實(shí)現(xiàn)。

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