金蒙新材從相關(guān)行業(yè)平臺獲悉：近期，美國加州大學的一個研究團隊的專家們通過研究發(fā)現(xiàn)，二硫化鉬(MoS2)半導體材料很可能會取代碳化硅和氮化鎵等傳統(tǒng)半導體材料成為制造極端溫度下應(yīng)用的薄膜晶體管新的候選材料。

　　眾所周知，輝鉬礦作為二硫化鉬的礦物，是一種豐富的天然材料，通常被用作潤滑油添加劑。由化學氣相沉積合成的二硫化鉬已被發(fā)現(xiàn)是一種用于生產(chǎn)柔性薄膜晶體管的很有前途的材料。

　　薄膜晶體管是像一個水龍頭一般可以控制電子的運動和電流的設(shè)備。寬帶隙有利于高溫應(yīng)用，由于一個單層二硫化鉬的帶隙比碳化硅和砷化鎵的帶隙要寬，這意味著一個器件可以很容易地打開和關(guān)閉，這也是晶體管運作的關(guān)鍵屬性。

　　相比由基于諸如碳化硅、氮化鎵等傳統(tǒng)寬帶半導體制得的電子器件，二硫化鉬依然保留著延升到高溫工作的可能性，但對于大量應(yīng)用而言，目前尚未成熟。