高壓高功率領(lǐng)域優(yōu)勢突出,SIC功率器件市場廣闊
碳化硅功率器件替代優(yōu)勢明顯,在高壓高功率領(lǐng)域性能強勁。功率器件是電力電子行業(yè)的重要基礎(chǔ)元器件之一,作用是實現(xiàn)對電能的處理、轉(zhuǎn)換和控制,主要包括功率二極管、功率三極管、晶閘管、MOSFET、IGBT等。碳化硅功率器件具有高電壓、大電流、高溫、高頻率、低損耗等獨特優(yōu)勢,根據(jù)科銳和應(yīng)用材料公司官網(wǎng)數(shù)據(jù)顯示,相較于硅基功率器件,碳化硅基MOSFET尺寸可以減少為同電壓硅基MOSFET的十分之一,能量損耗可以減少為同開關(guān)頻率硅基IGBT的30%。
SiC功率器件下游應(yīng)用廣泛,市場快速放量。得益于優(yōu)異的能源轉(zhuǎn)換效率,碳化硅功率器件在電動汽車/充電樁、光伏新能源、軌道交通、智能電網(wǎng)、家電等領(lǐng)域均有廣泛應(yīng)用前景。根據(jù)Yole數(shù)據(jù)顯示,全球碳化硅功率器件市場規(guī)模預(yù)計將從2021年10.9億美元增長至2027年62.97億美元,年均復(fù)合增長率達34%,其中新能源車(主逆變器和充電機)、光伏及儲能系統(tǒng)貢獻了主要增量。新能源車將由從2021年6.85億美元增長至2027年49.86億美元,為最大增量領(lǐng)域;光伏及儲能預(yù)計增長至2027年4.58億美元;此外軌道交通領(lǐng)域預(yù)計也會為功率器件市場貢獻超過1億美元的增量空間。
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