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聯(lián)系金蒙新材料
- 碳化硅功率器件的性能優(yōu)勢[ 09-19 17:07 ]
- 碳化硅在半導(dǎo)體中存在的主要形式是作為襯底材料，基于其優(yōu)良的特性，碳化硅襯底的使用極限性能優(yōu)于硅襯底，可以滿足高溫、高壓、高頻、大功率等條件下的應(yīng)用需求，當(dāng)前碳化硅襯底已應(yīng)用于射頻器件及功率器件。碳化硅器件優(yōu)點如下： （1）耐高壓。擊穿電場強度大，是硅的10倍，用碳化硅制備器件可以極大地提高耐壓容量、工作頻率和電流密度，并大大降低器件的導(dǎo)通損耗。所以在實際應(yīng)用過程中，與硅基相比可以設(shè)計成更小的體積，約為硅基器件的1/10。 （2）耐高溫。半導(dǎo)體器件在較高的溫度下，會產(chǎn)生載流子的本征激發(fā)現(xiàn)象，造成器件失效。
- 碳化硅襯底領(lǐng)域國產(chǎn)替代成效顯著[ 09-17 15:03 ]
- 碳化硅作為第三代半導(dǎo)體材料的主要代表之一，其技術(shù)發(fā)展也至關(guān)重要。雖然國內(nèi)碳化硅的技術(shù)水平與國外有所差距，但國內(nèi)企業(yè)在2-6英寸的半絕緣型和導(dǎo)電型碳化硅襯底領(lǐng)域均已實現(xiàn)部分國產(chǎn)替代，8英寸晶圓也在研制過程中，國產(chǎn)替代進(jìn)程講持續(xù)突破。 碳化硅市場產(chǎn)業(yè)鏈主要分為晶圓襯底制造、外延片生產(chǎn)、碳化硅器件研發(fā)和裝備封裝測試四個部分，分別占市場總成本的50%、25%、20%、5%，由于具備晶體生長過程繁瑣，晶圓切割困難等特點，碳化硅襯底的制造成本一直處于高位。目前高質(zhì)量襯底的應(yīng)用主要集中于WolfSpeed、II-VI、RO
- Wolfspeed宣布斥巨資擴產(chǎn)碳化硅晶圓產(chǎn)能[ 09-15 16:27 ]
- 9月9日，碳化硅半導(dǎo)體技術(shù)全球領(lǐng)導(dǎo)者Wolfspeed宣布將在北卡羅來納州投建200mm（8吋）碳化硅晶圓項目，一期投資13億美元，預(yù)計2024年投產(chǎn)；二期預(yù)計投資48億美元，到2030年投產(chǎn)，投資目標(biāo)是使Wolfspeed達(dá)到目前產(chǎn)能的十倍。 Wolfspeed首席執(zhí)行官GreggLowe表示，碳化硅芯片能夠在500華氏度以上運行，電壓大約是傳統(tǒng)硅片可以處理的10倍，基于碳化硅的芯片已在電動汽車中找到一席之地，它們用于逆變器——該組件的作用是將電力從汽車電池傳輸?shù)绞管囕嗈D(zhuǎn)動的電機。L
- 碳化硅器件工藝難點在哪里？[ 09-14 17:19 ]
- 襯底片完了之后就是長外延，外延之后就是一系列的光刻，刻蝕，涂膠，沉積，清洗，離子注入等工藝，和硅工藝基本一致，然后就是后道的晶圓切die，封裝測試等，基本流程和硅差不多。 其中長外延，光刻膠，背面退火，刻蝕，以及氧化柵極工藝區(qū)別，歐姆接觸和硅工藝區(qū)別非常大。 硅的外延工藝就是普通的硅外延爐之類價格也很便宜國產(chǎn)的大約400-500萬一臺（8英寸的）；碳化硅的是特殊的MOCVD/HT-CVD，且價格非常貴，基本要800-1500萬人民幣一臺，而且產(chǎn)能很低，一臺爐子一個月產(chǎn)能是30片。 外延爐主要是國外
- 為什么碳化硅晶圓成本高？[ 09-13 16:14 ]
- 碳化硅的長晶技術(shù)大致有三種，PVT物理氣相傳輸法，HT-CVD高溫氣相沉積法，以及LPE溶液法。 其中PVT比較主流，優(yōu)點是簡單，可靠，成本可控。CVD對設(shè)備要求太高，價格很貴，只有高質(zhì)量的半絕緣襯底會用這個方法；LPE溶液法能做天然P型襯底，但是缺陷很難控制，還需要時間積累，日本公司不少專注于這個路線。 以PVT法為例，這種方案下碳化硅生長速度只有硅材料生長速度的1/100都不到，144小時只有2cm左右的厚度，實在是太慢了，要想獲得更多的產(chǎn)量，只能靠長晶爐數(shù)量堆。 目前國外日新技研和PVATe
