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- 碳化硅半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈[ 05-13 16:42 ]
- 碳化硅半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈主要包括“碳化硅高純粉料→單晶襯底→外延片→功率器件→模塊封裝→終端應(yīng)用”等環(huán)節(jié)。 1碳化硅高純粉料 碳化硅高純粉料是采用PVT法生長碳化硅單晶的原料，其產(chǎn)品純度直接影響碳化硅單晶的生長質(zhì)量以及電學(xué)性能。 碳化硅粉料有多種合成方式，主要有固相法、液相法和氣相法3種。其中，固相法包括碳熱還原法、自蔓延高溫合成法和機(jī)械粉碎法；液相法包括溶膠-凝膠法和聚合物熱分解法；氣相法包括化學(xué)氣相沉積法、等離子體法和激光誘導(dǎo)
- Soitec發(fā)布8英寸SiC襯底，拓展碳化硅產(chǎn)品組合[ 05-12 15:30 ]
- 據(jù)中國粉體網(wǎng)訊 Soitec近日發(fā)布了其首款200mm碳化硅SmartSiC™晶圓。這標(biāo)志著Soitec公司的碳化硅產(chǎn)品組合已拓展至150mm以上，其SmartSiC™晶圓的研發(fā)水準(zhǔn)再創(chuàng)新高，可滿足汽車市場不斷增長的需求。 首批200mmSmartSiC™襯底誕生于Soitec與CEA-Leti合作的襯底創(chuàng)新中心的先進(jìn)試驗(yàn)線，該中心位于格勒諾布爾。該批200mmSmartSiC襯底將會(huì)在關(guān)鍵客戶中進(jìn)行首輪驗(yàn)證，展示其質(zhì)量及性能。 Soitec于2022年3月
- 中泰恒創(chuàng)攜手中匯環(huán)球投入100億美元開展碳化硅項(xiàng)目[ 05-11 16:26 ]
- 近日，中泰恒創(chuàng)科技有限公司與中匯環(huán)球集團(tuán)有限公司就“拓展碳化硅SiC芯片市場”項(xiàng)目舉行簽約儀式。此次中泰恒創(chuàng)與中匯環(huán)球的合作主要聚焦于共同拓展碳化硅SiC芯片市場方向。 據(jù)悉，中匯環(huán)球?yàn)橹刑┖銊?chuàng)提供100億美元以上自主融合國際主權(quán)財(cái)富基金的參與和支持，主要支持中泰恒創(chuàng)在開發(fā)生產(chǎn)IGBT、SBD/MOSFET、BMS/PCS等新型產(chǎn)品，以及建立創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)產(chǎn)業(yè)園。 目前，中泰恒創(chuàng)已落地施行的半導(dǎo)體項(xiàng)目可分為三個(gè)階段，第一階段收益預(yù)計(jì)100億元，第二階段預(yù)計(jì)580億元，到第三階段完成，整
- 中科院物理研究所成功制備單一晶型8英寸SiC晶體[ 05-10 12:22 ]
- 近期，中科院物理研究所在寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域取得重要進(jìn)展，研人員通過優(yōu)化生長工藝，進(jìn)一步解決了多型相變問題，持續(xù)改善晶體結(jié)晶質(zhì)量，成功生長出單一4H晶型的8英寸SiC晶體。 SiC器件的成本主要由襯底、外延、流片和封測等環(huán)節(jié)形成，襯底在SiC器件成本中占比高達(dá)約45%。進(jìn)一步擴(kuò)大SiC襯底尺寸，在單個(gè)襯底上增加器件的數(shù)量是降低成本的主要途徑。8英寸SiC襯底將比6英寸在成本降低上具有明顯優(yōu)勢。8英寸SiC晶體生長的難點(diǎn)在于：首先要研制出8英寸籽晶；其次要解決大尺寸帶來的溫場不均勻、氣相原料分布和輸運(yùn)效率問題；另外
- 多孔重結(jié)晶碳化硅陶瓷的制備與力學(xué)性能表征[ 05-09 16:20 ]
- 多孔重結(jié)晶碳化硅陶瓷(recrystallizedsiliconCarbides，RSiC)由于純度極高、不含晶界雜質(zhì)相而具有優(yōu)異的高溫力學(xué)性能、熱穩(wěn)定性、耐腐蝕性能、高熱導(dǎo)率以及較小的熱膨脹系數(shù)，作為高溫結(jié)構(gòu)材料廣泛用于航空航天等領(lǐng)域。而且由于燒結(jié)過程中不收縮，可以制備形狀復(fù)雜、精度較高的部件。 目前，針對RSiC的研究和應(yīng)用，一方面在于提高其致密度用于極端環(huán)境服役的高溫結(jié)構(gòu)材料，另一方面在于提高其氣孔率用于高溫過濾催化用的多孔結(jié)構(gòu)/功能材料。 高溫過濾催化用多孔材料，如用作柴油車尾氣顆粒物過濾器(Die
