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聯(lián)系金蒙新材料
- 「一圖GET」一圖搞懂碳化硅——襯底篇[ 05-19 14:24 ]
- 蔚來下一代電動車將選用安森美最新SiC功率模塊[ 05-18 15:07 ]
- 近年來，新能源汽車遭遇的技術(shù)瓶頸主要是如何進一步提升車輛的經(jīng)濟性。為此，全球汽車行業(yè)已向碳化硅（SiC）制成的芯片行業(yè)投資數(shù)十億美元，皆因業(yè)界認為這類技術(shù)可以幫助他們制造高性能電動汽車。 近期，安森美（onsemi）宣布全球汽車創(chuàng)新企業(yè)蔚來（NIOInc.）為其下一代電動車（EV）選用安森美的最新VE-TracTMDirectSiC功率模塊。這種以碳化硅為基礎(chǔ)的功率模塊能使電動車的續(xù)航里程更遠、能效更高，加速度也更快。兩家公司合作加快SiC技術(shù)商業(yè)化的進程，為市場帶來配備先進半導(dǎo)體材料的電動車。 據(jù)悉，
- 氮化硅/碳化硅復(fù)合陶瓷材料[ 05-17 16:02 ]
- 氮化硅/碳化硅復(fù)合陶瓷材料是一種特殊的碳化硅制品，20世紀70年代被廣泛應(yīng)用于磨具磨料以及電陶瓷行業(yè)，上世紀80年代我國將該材料進行引入。 氮化硅和碳化硅的密度相近，當柱狀的氮化硅穿插在碳化硅顆粒之間并發(fā)生燒結(jié)，產(chǎn)生的增韌和強化作用遠遠優(yōu)于單一材料性能。氮化硅陶瓷的脆性較大，可以與碳化硅材料復(fù)合改善脆性，提升斷裂韌性；而且碳化硅材料的熱穩(wěn)定性與抗氧化能力在與氮化硅復(fù)合之后也能得到改善。 氮化硅/碳化硅復(fù)合陶瓷材料莫氏硬度為9左右，僅次于金剛石；常溫強度高并且在1200-1400℃時此材料的強度和硬度可以
- SiC器件在各行業(yè)中的應(yīng)用及優(yōu)勢[ 05-16 16:55 ]
- 1、電源/大型服務(wù)器：用于電源及功率因數(shù)校正器內(nèi)部，減積減重、提高效率、降低損耗。 2、光伏：用于光伏逆變器中，光伏發(fā)電產(chǎn)生的電流為直流電，需要通過逆變器轉(zhuǎn)換為交流電以實現(xiàn)并網(wǎng)。采用SiC功率器件可以減積減重；提高逆變轉(zhuǎn)化效率2%左右，綜合轉(zhuǎn)換效率達到98%；降低損耗，提高光伏發(fā)電站經(jīng)濟效益；SiC材料特性，降低故障率。 3、風(fēng)電：用于風(fēng)電整流器、逆變器、變壓器，風(fēng)力發(fā)電產(chǎn)生的交流電易受風(fēng)力影響使得電壓、電流不穩(wěn)定，先要經(jīng)過整流為直流電后再逆變成交流電實現(xiàn)并網(wǎng)，提高效率、降低損耗，同時成本和質(zhì)量分別減少
- 碳化硅寬禁帶半導(dǎo)體目前存在的問題[ 05-14 15:50 ]
- ①大尺寸SiC單晶襯底制備技術(shù)仍不成熟。 目前國際上已經(jīng)開發(fā)出了8英寸SiC單晶樣品，單晶襯底尺寸仍然偏小、缺陷水平仍然偏高。并且缺乏更高效的SiC單晶襯底加工技術(shù)；p型襯底技術(shù)的研發(fā)較為滯后。 ②n型SiC外延生長技術(shù)有待進一步提高。 ③SiC功率器件的市場優(yōu)勢尚未完全形成，尚不能撼動目前硅功率半導(dǎo)體器件市場上的主體地位。 國際SiC器件領(lǐng)域：SiC功率器件向大容量方向發(fā)展受限制；SiC器件工藝技術(shù)水平比較低；缺乏統(tǒng)一的測試評價標準。 中國SiC功率器件領(lǐng)域存在以下3個方面差距：
