碳化硅纖維化學(xué)氣相沉積法
CVD法制備碳化硅纖維最早是在1972年由美國(guó)的AVCO公司研發(fā),也是早期生產(chǎn)碳化硅纖維復(fù)合長(zhǎng)單絲的方法?;瘜W(xué)氣相沉積法制備碳化硅纖維的基本原理就是在連續(xù)的鎢絲或碳絲芯材上沉積碳化硅。該方法的制備過(guò)程中,利用碳絲更為合適。一方面,碳的質(zhì)量比鎢的質(zhì)量小,可以制得更輕的碳化硅纖維;另一方面,鎢與碳化硅會(huì)發(fā)生化學(xué)反應(yīng),使得在高溫環(huán)境下碳化硅纖維的強(qiáng)度變差。在碳絲上沉積碳化硅能夠得到更穩(wěn)定的碳化硅纖維及其復(fù)合材料。
CVD法制備的碳化硅纖維的純度比較高,因此纖維在高溫下的強(qiáng)度、抗蠕變、穩(wěn)定性等性能良好。但是,與先驅(qū)體轉(zhuǎn)化法相比,CVD法制備的碳化硅纖維直徑較大,無(wú)法進(jìn)行編織,因此在利用纖維制成復(fù)合材料時(shí)比較困難。
美國(guó)AVCO公司于1985年被美國(guó)TEXTRON SYSTEMS公司收購(gòu),目前TEXTRON SYSTEMS公司是世界上研發(fā)利用CVD法制備碳化硅纖維及其復(fù)合材料最著名公司之一,它的代表性產(chǎn)品是SCS系列。早在1990年,我國(guó)中國(guó)科學(xué)院金屬研究所的石南林等研制出采用射頻加熱的方式,以CVD法制備出連續(xù)碳化硅纖維。該研究在碳化硅纖維的表面涂上一層保護(hù)層,緩解了碳化硅纖維的表面損傷敏感性,從而提高了纖維的性能。隨后,1996年中國(guó)科學(xué)院山西煤炭化學(xué)研究所的鄭敏等也利用類(lèi)似的方法成功制得碳化硅纖維,并分析了制備過(guò)程中不同參數(shù)對(duì)制成碳化硅纖維的性能的影響。由于利用CVD法制備碳化硅纖維的設(shè)備成本較高,并且生產(chǎn)效率較低,該方法在實(shí)現(xiàn)碳化硅纖維工業(yè)化生產(chǎn)的過(guò)程中逐漸被淘汰。
相關(guān)資訊
最新產(chǎn)品
同類(lèi)文章排行
- 碳化硅微粉:噴砂與磨料行業(yè)中的明星材料
- 碳化硅、白剛玉等磨料微粉是如何進(jìn)行顆粒整形?
- 大面積碳化硅陶瓷膜層化學(xué)氣相沉積(CVD)技術(shù)
- 碳化硅陶瓷反應(yīng)連接技術(shù)
- 高精度碳化硅陶瓷制品無(wú)模成型工藝
- 碳化硅陶瓷凝膠注模成型工藝
- 集成電路制造裝備用精密陶瓷結(jié)構(gòu)件的特點(diǎn)
- 固相燒結(jié)碳化娃(SSiC)優(yōu)缺點(diǎn)
- 如何實(shí)現(xiàn)碳化硅晶圓的高效低損傷拋光?
- 一張圖:碳化硅這樣提純,能行嗎?