隨著碳化硅產(chǎn)品應(yīng)用越來(lái)越廣泛，世界各國(guó)對(duì)SiC的研究非常重視，紛紛投入大量的人力物力積極發(fā)展，美國(guó)、歐洲、日本等不僅從國(guó)家層面上制定了相應(yīng)的研究規(guī)劃，而且一些國(guó)際電子業(yè)巨頭也都投入巨資發(fā)展碳化硅半導(dǎo)體器件，如德國(guó)的英飛凌半導(dǎo)體公司，美國(guó)的Cree公司、通用電子公司、摩托羅拉公司，日本的豐田、東芝、日立、富士等公司。（國(guó)內(nèi)從事碳化硅生產(chǎn)晶體研制的研究所和高校主要有中科院物理所、上海硅酸鹽研究所、山東大學(xué)、西安理工大學(xué)、中國(guó)電子科技集團(tuán)第四十六所等）另外設(shè)備廠商也開始支持SiC器件的生產(chǎn)。每年的黑碳化硅、綠碳化硅及相關(guān)材料國(guó)際會(huì)議ICSCRM來(lái)自全球的專家聚集在一起探討有關(guān)碳化硅最新的技術(shù)動(dòng)態(tài)。
  目前市場(chǎng)上也已有光電子、功率和微波等三類碳化硅加工器件提供商用，如PIN二極管、肖特基二極管、MESFET、MOSFET、晶閘管、SiC基發(fā)光二極管等。SiC器件的蓬勃發(fā)展迫切需要價(jià)廉、大直徑、高品質(zhì)的SiC晶片，以降低器件的價(jià)格，提高器件的性能。但由于SiC在正常的工程條件下無(wú)液相存在，理論計(jì)算表明在壓力超過1010Pa、溫度超過2830℃的條件下，理想化學(xué)配比的SiC熔體才可能存在，故從商業(yè)的角度考慮SiC不可能像Si材料一樣從熔體中提拉制備。目前世界上制備SiC體單晶的標(biāo)準(zhǔn)方法是籽晶升華法。其原理是采用感應(yīng)或電阻加熱的方式對(duì)準(zhǔn)密閉的坩堝系統(tǒng)加熱，將作為生長(zhǎng)源的固態(tài)混合物置于溫度較高的坩堝底部，籽晶固定在溫度較低的坩堝頂部，生長(zhǎng)源在低壓高溫下升華分解產(chǎn)生氣態(tài)物質(zhì)，在由生長(zhǎng)源與籽晶之間存在的溫度梯度而形成的壓力梯度的驅(qū)動(dòng)下，這些氣態(tài)物質(zhì)自然輸運(yùn)到低溫的籽晶位置，并由于超飽和度的產(chǎn)生而結(jié)晶生長(zhǎng)。
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