為什么碳化硅能承受這么高的電壓?
功率器件,尤其是MOSFET,必須能夠處理極高的電壓。由于電場的介電擊穿強度比硅高約十倍,SiC可以達到非常高的擊穿電壓,從600V到幾千伏。SiC可以使用比硅更高的摻雜濃度,并且漂移層可以做得非常薄。漂移層越薄,其電阻越低。理論上,給定高電壓,單位面積漂移層的電阻可以降低到硅的1/300。
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