去年發(fā)布的“‘十四五’規(guī)劃和2035年遠(yuǎn)景目標(biāo)綱要”明確提出，我國將加速推動以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體新材料新技術(shù)產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程，催生一批高速成長的新材料企業(yè)。

作為第三代半導(dǎo)體代表材料，碳化硅具有優(yōu)良的物理和化學(xué)性能。

力學(xué)性能：高硬度（克氏硬度為3000kg/mm2），可以切割紅寶石；高耐磨性，僅次于金剛石。

熱學(xué)性能：熱導(dǎo)率超過金屬銅，是Si的3倍，是GaAs的8～10倍，散熱性能好，對于大功率器件非常重要。

化學(xué)性能：耐腐蝕性非常強(qiáng)，室溫下幾乎可以抵抗任何已知的腐蝕劑。SiC表面易氧化生成SiO2薄層，能防止其進(jìn)一步氧化，在高于1700℃時(shí)，這層氧化膜熔化并迅速發(fā)生氧化反應(yīng)。SiC能溶解于熔融的氧化劑物質(zhì)。

電學(xué)性能：4H-SiC和6H-SiC帶隙約是Si的3倍，是GaAs的2倍；其擊穿電場強(qiáng)度高于Si一個(gè)數(shù)量級，飽和電子漂移速度是Si的2.5倍。4H-SiC的帶隙比6H-SiC更寬。

總之，碳化硅半導(dǎo)體是新一代寬禁帶半導(dǎo)體，它具有熱導(dǎo)率高(比硅高3倍)、與GaN晶格失配小(4%)等優(yōu)勢，非常適合用作新一代發(fā)光二極管（LED）襯底材料、大功率電力電子材料。