碳化硅單晶是一種寬禁帶半導體材料，具有禁帶寬度大，臨界擊穿場強大，熱導率高，飽和漂移速度高等諸多特點，被廣泛應用于制作高溫、高頻及大功率電子器件。

  關于氮化鎵，曾有報道稱，一片2英寸的氮化鎵晶片，可以生產(chǎn)出1萬盞亮度為節(jié)能燈10倍、發(fā)光效率為節(jié)能燈3～4倍、壽命為節(jié)能燈10倍的高亮度LED照明燈;也可以制造出5000個平均售價在100美元左右的藍光激光器;還可以被應用在電力電子器件上，使系統(tǒng)能耗降低30%以上。

  由于碳化硅和氮化鎵的晶格失配小，碳化硅單晶是氮化鎵基LED、肖特基二極管、金氧半場效晶體管等器件的理想襯底材料。物理所先進材料與結(jié)構分析實驗室陳小龍研究組(功能晶體研究與應用中心)長期從事碳化硅單晶生長研究工作。

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