光伏產(chǎn)業(yè)上游現(xiàn)量?jī)r(jià)回升復(fù)蘇景象[ 03-11 17:28 ]

據(jù)報(bào)道，位于光伏中上游的光伏組件和多晶硅產(chǎn)業(yè)，在很長(zhǎng)一段時(shí)間由于產(chǎn)能過(guò)剩飽受質(zhì)疑。前兩年行業(yè)蕭條時(shí)，因沒(méi)有訂單或售價(jià)低于成本，甚至一些光伏上游企業(yè)被迫停工。而去年下半年以來(lái)，隨著光伏電站的建設(shè)迎來(lái)熱潮，光伏行業(yè)明顯回暖，上游產(chǎn)業(yè)鏈也正在走出“冰封期”，開(kāi)始出現(xiàn)量?jī)r(jià)回升的復(fù)蘇景象。

碳化硅電力電子器件的發(fā)展現(xiàn)狀分析[ 02-23 17:32 ]

  在過(guò)去的十五到二十年中，碳化硅電力電子器件領(lǐng)域取得了令人矚目的成就，所研發(fā)的碳化硅器件的性能指標(biāo)遠(yuǎn)超當(dāng)前硅基器件，并且成功實(shí)現(xiàn)了部分碳化硅器件的產(chǎn)業(yè)化，在一些重要的能源領(lǐng)域開(kāi)始逐步取代硅基電力電子器件，并初步展現(xiàn)出其巨大的潛力。碳化硅電力電子器件的持續(xù)進(jìn)步將對(duì)電力電子技術(shù)領(lǐng)域的發(fā)展起到革命性的推動(dòng)作用。隨著SiC單晶和外延材料技術(shù)的進(jìn)步，各種類型的SiC器件被開(kāi)發(fā)出來(lái)。SiC器件主要包括二極管和開(kāi)關(guān)管。SiC二極管主要包括肖特基勢(shì)壘二極管及其新型結(jié)構(gòu)和PiN型二極管。SiC開(kāi)關(guān)管的種類較多，具有代表性

山東金蒙碳化硅冶煉爐良好的透氣性的重要性[ 07-02 10:18 ]

山東金蒙碳化硅合成過(guò)程是一個(gè)復(fù)雜的過(guò)程，特別是在冶煉的中后期，是有液相和氣相參與的反應(yīng)。因此提高壓力并不表現(xiàn)出積極作用，甚至?xí)沟闷浞?。所以冶煉爐應(yīng)該要有良好的透氣性。如果爐體和爐料透氣性太差，爐內(nèi)會(huì)形成很高的正壓。這種壓力會(huì)大大降低爐內(nèi)反應(yīng)動(dòng)力，使反應(yīng)能力減小，反應(yīng)速度下降。從而影響冶煉爐的產(chǎn)量和產(chǎn)品的質(zhì)量。爐內(nèi)的正壓高，會(huì)使?fàn)t芯溫度不正常迅速升高，爐料的區(qū)間溫差梯度加大，會(huì)造成冶煉爐中心部位有分解溫度，外層無(wú)再結(jié)晶溫度，阻礙了反應(yīng)向正方向發(fā)展。當(dāng)爐內(nèi)壓力升到一定數(shù)值后，將會(huì)使碳化硅晶筒形成多硅結(jié)晶或富硅性熔體。

碳化硅光學(xué)材料拋光試驗(yàn)[ 04-24 11:05 ]

研究了三種典型的碳化硅光學(xué)材料CVD SiC、HP SiC以及RB SiC的材料去除機(jī)理與可拋光性，并對(duì)其進(jìn)行了超光滑拋光試驗(yàn)。在分析各種材料制備方法與材料特性的基礎(chǔ)上，通過(guò)選擇合理的拋光工藝參數(shù)，均獲得了表面粗糙度優(yōu)于Rq=2nm（采樣面積為0.71mm×0.53mm）的超光滑表面。試驗(yàn)結(jié)果表明：研磨過(guò)程中，三種碳化硅光學(xué)材料均以脆性斷裂的方式去除材料，加工表面存在著裂紋以及材料脫落留下的缺陷;拋光過(guò)程中，CVD SiC主要以塑性劃痕的方式去除材料，決定表面粗糙度的主要因素為表面微觀劃痕的深度；HP

微硅粉提高油井水泥熱穩(wěn)定性的原因[ 04-02 11:31 ]

微硅粉能提高油井水泥的熱穩(wěn)定性是由于微硅粉含有95%以上的SiO2,它的加入改變了水泥的C/S比,使水泥的水化產(chǎn)物C—S—H的組成和結(jié)構(gòu)發(fā)生了變化。實(shí)驗(yàn)證明,在微硅粉的存在下,C3S粒子周圍存在著三層不同C/S的C—S—H疑膠,最內(nèi)層C/S為115左右,最外層C/S小于1。C/S不同,產(chǎn)物的結(jié)構(gòu)不同,其性能也不相同。Eilers等人認(rèn)為,在加入金石微硅粉的水泥中,隨加量和環(huán)境溫度不同,可得到一系列熱穩(wěn)定性好、強(qiáng)度高、滲透率低的水化產(chǎn)物。當(dāng)微硅粉加量在35%左右,水泥體