第三代半導(dǎo)體材料發(fā)展新方向[ 11-29 15:02 ]

眾所周知，采用第三代半導(dǎo)體材料的目的是為了提高產(chǎn)品效率和功率密度。大功率產(chǎn)品主要是Si IGBT向SiC MOSFET發(fā)展，目前在車載應(yīng)用方面已經(jīng)開始全面替換，其效率的提升以及重量的減輕直接提高了電動車的續(xù)航能力。而中小功率產(chǎn)品是Si MOSFET向GaN HEMT發(fā)展，主要應(yīng)用是數(shù)據(jù)中心電源及充電適配器。 數(shù)據(jù)中心消耗的能源大概占總發(fā)電量的10%左右，采用第三代半導(dǎo)體材料GaN設(shè)計(jì)的電源能夠使效率提高3到5個(gè)點(diǎn)，從而節(jié)省全國千分之三到千分之五的電力消耗。這對于碳中和有非常重要的意義。充電適配器方面，采用氮化鎵可

GaN和SiC材料的技術(shù)難點(diǎn)和特點(diǎn)[ 11-29 14:59 ]

目前，第三代半導(dǎo)體材料GaN和SiC已經(jīng)得到了市場認(rèn)可和高度關(guān)注。在功率半導(dǎo)體的范疇，業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為，除了LED發(fā)光和射頻，第三代半導(dǎo)體材料SiC的技術(shù)難點(diǎn)主要在于襯底缺陷的控制。當(dāng)前低缺陷密度的襯底材料主要是歐美及日本廠商生產(chǎn)，國內(nèi)想要突破還需要相當(dāng)長的一段時(shí)間。 同時(shí)第三代半導(dǎo)體材料SiC工藝控制難度高、產(chǎn)品批次性波動大導(dǎo)致良率偏低以及主要材料供應(yīng)被壟斷，甚至推導(dǎo)到市場價(jià)格一直居高不下，目前只限定在部分應(yīng)用市場。但相比SiC更低損耗、更高效率以及高電壓耐高溫等一系列自身特點(diǎn)而言，第三代半導(dǎo)體材料SiC的應(yīng)用已經(jīng)

工信部：將碳化硅復(fù)合材料、碳基復(fù)合材料等納入“十四五”產(chǎn)業(yè)規(guī)劃[ 11-29 14:37 ]

8月24日，工信部在答復(fù)政協(xié)提案中表示，工信部將進(jìn)一步強(qiáng)化產(chǎn)業(yè)政策引導(dǎo)，將碳基材料納入“十四五”原材料工業(yè)相關(guān)發(fā)展規(guī)劃，并將碳化硅復(fù)合材料、碳基復(fù)合材料等納入“十四五”產(chǎn)業(yè)科技創(chuàng)新相關(guān)發(fā)展規(guī)劃，以全面突破關(guān)鍵核心技術(shù)，攻克“卡脖子”品種，提高碳基新材料等產(chǎn)品質(zhì)量，推進(jìn)產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)高級化、產(chǎn)業(yè)鏈現(xiàn)代化。碳化硅是第三代半導(dǎo)體材料之一，其介電擊穿強(qiáng)度大約是硅的10倍，主要用于生產(chǎn)功率半導(dǎo)體器件，適用于高溫、高壓、高功率的場景。碳基復(fù)合材料包括碳納米管、碳

中國磨料磨具分會秘書長等一行蒞臨山東金蒙新材料股份有限公司調(diào)研[ 05-17 20:10 ]

初夏時(shí)節(jié)的金蒙新材料，處處洋溢著干事創(chuàng)業(yè)的激情。5月13日，中國磨料磨具分會秘書長陳鵬，在副秘書長馮潔、高級顧問楊荻帆、行業(yè)部主任夏學(xué)峰、辦公室主任黃凱的陪同下，蒞臨山東金蒙新材料股份有限公司考察調(diào)研。公司董事長胡尊奎等陪同。

旋流器常用的耐磨材料[ 04-11 14:59 ]

碳化硅具有比氧化鋁高的硬度、耐磨性的特點(diǎn)，并且碳化硅的燒制方法與氧化鋁相似。因碳化硅易被氧化生成SiO2，故必須在真空或在還原氣氛下繞結(jié)。碳化硅的燒結(jié)溫度一般在1800℃以上，成本高，限制了其在重介質(zhì)旋流器上的應(yīng)用。